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长鑫存储DRAM芯片宣布投产 兆易创新应声涨近9%

来源:网络整理 编辑:weike 时间:2019-09-22
导读:中证网讯(记者 杨洁)据新华社消息,9月20日在安徽合肥召开的2019世界制造业大会上,长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产,其与国际主流DRAM产品同步的10纳米级第一代8Gb DDR4首度亮相,一期设计产能每月12万片晶圆。消息发布后,作为项目投资方之一的

”兆易创新董事长、长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明在会上表示。

今年底正式交付。

长江存储已经正式宣布量产64层Xtacking 3D NAND产品,长鑫存储项目启动。

是集成电路产业产值占比最大的单一芯片品类,长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产, ,拥有了这一关键战略性元器件的自主生产能力。

DRAM即动态随机存储芯片,中国是该芯片最大的应用市常险

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